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7 月 3 日消息，天岳先進攜 8 英寸碳化硅襯底最新技術動態(tài)亮相 Semicon China 展會，公開了最新進展。

注：上海半導體展 Semicon 是全球規(guī)模最大、最具影響力的半導體專業(yè)展，覆蓋芯片設計、制造、封測、設備、材料、光伏、顯示等產(chǎn)業(yè)。

公司 CTO 高超博士介紹，目前公司以 6 英寸導電型碳化硅襯底為主，上海臨港（600848）工廠已經(jīng)進入產(chǎn)品交付階段，8 英寸產(chǎn)品也已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化能力。

近日，天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的 8 英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題，尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。除了產(chǎn)品尺寸，在大尺寸單晶高效制備方面，采用公司最新技術制備的晶體厚度已突破 60mm。

據(jù)了解，6 英寸碳化硅晶片仍是市場主流產(chǎn)品，8 英寸襯底正成為技術演化方向，Wolfspeed、ROHM、英飛凌等國際大廠已先后布局。8 英寸的面積較 6 英寸增加了約 78%，同等條件下從 8 英寸襯底切出的芯片數(shù)將提升近 90%，可將單位綜合成本降低 50%。

天岳先進在今年 5 月與英飛凌簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協(xié)議，供貨碳化硅 6 英寸襯底、合作制備 8 英寸襯底。