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最新CoolSiC MOSET的熱性能更好、功率密度更高、組裝更容易

英飛凌采用TO無引線(TOLL)封裝，開發(fā)出一款新型SiC CoolSiC MOSFET 650V。據(jù)稱，該器件經(jīng)過優(yōu)化，在服務(wù)器SMPS、電信基礎(chǔ)設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電池化成解決方案等應(yīng)用中，其損耗低、可靠性高、易用性強(qiáng)。

CoolSiC 650V溝槽式功率SiC MOSFET擁有多種選擇，可滿足不同的應(yīng)用。新系列采用符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TOLL封裝，寄生電感低，從而可實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗、良好熱管理和自動(dòng)化組裝。

英飛凌表示，外形尺寸緊湊能有效利用電路板空間，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)卓越的功率密度。

為即使在惡劣環(huán)境下也能實(shí)現(xiàn)高可靠性，專門設(shè)計(jì)出CoolSiC MOSFET 650V，使其成為具有重復(fù)硬換向的合適拓?fù)洹?

據(jù)稱，采用.XT互連技術(shù)可通過降低熱阻和熱阻抗，進(jìn)一步增強(qiáng)器件的熱性能。此外，新器件的柵極閾值電壓在4V以上，可抵抗寄生導(dǎo)通，其體二極管穩(wěn)固，柵極氧化物(GOX)是市場(chǎng)上最強(qiáng)的，因此可實(shí)現(xiàn)低FIT（及時(shí)故障）率。

雖然通常推薦使用0V截止電壓(V GS(off))來簡化驅(qū)動(dòng)電路（單極驅(qū)動(dòng)），但新產(chǎn)品組合支持的V GS電壓驅(qū)動(dòng)間隔較大，范圍在-5 V（關(guān)閉）至23 V（開啟）。這確保了新器件的易用性，以及與其他SiC MOSFET和標(biāo)準(zhǔn)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC的兼容性。與高可靠性、低系統(tǒng)復(fù)雜性以及自動(dòng)化組裝相結(jié)合，可降低系統(tǒng)和生產(chǎn)成本，并加快上市時(shí)間。

新型CoolSiC MOSFET 650V采用TOLL工業(yè)級(jí)封裝，其分立器件擁有不同漏源導(dǎo)通電阻(R DS(on))，范圍在22至83 mΩ，可供選擇，且現(xiàn)在即可訂購（107 mΩ、163 mΩ、260 mΩ版本將按需供應(yīng)）。