无码狠狠躁久久久久久久网址,四虎永久地址www成人,女人张开腿无遮无挡视频,亚洲熟妇成人精品一区,综合偷自拍亚洲乱中文字幕

加載中...
您的位置:首頁 >基金 > 正文

【天天聚看點】紫光公開嵌入式多層SeDRAM內(nèi)存:帶寬、能效遙遙領(lǐng)先

2023-07-04 16:44:40 來源:快科技


(資料圖片僅供參考)

快科技7月3日消息,近日的VLSI 2023技術(shù)與電路研討會上,西安紫光國芯公開發(fā)表技術(shù)論文《基于小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多層陣列DRAM》,展示了西安紫光國芯在SeDRAM方向的最新突破。

本年度的VLSI會議共收到全球投稿632篇,最終錄取212篇,只有2篇來自中國內(nèi)地企業(yè),其中1篇就是西安紫光國芯的貢獻(xiàn)的。

西安紫光國芯的新一代多層陣列SeDRAM,相較于上一代單層陣列結(jié)構(gòu),主要采用了低溫混合鍵合技術(shù)(Hybrid Bonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆積技術(shù)。

這種內(nèi)存的每Gbit(十億比特)由2048個數(shù)據(jù)接口組成,每個接口的數(shù)據(jù)速度都達(dá)到541Mbps,最終實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的135 GBps/Gbit帶寬、0.66 pJ/bit能效,基于此實現(xiàn)了邏輯單元和DRAM陣列三維集成。

2020年,西安紫光國芯發(fā)布了第一代SeDRAM技術(shù),之后實現(xiàn)了多款產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn),而這次發(fā)布的新一代多層陣列SeDRAM技術(shù),實現(xiàn)了更小的電容電阻、更大的帶寬和容量,可廣泛應(yīng)用于近存計算、大數(shù)據(jù)處理、高性能計算等領(lǐng)域。

關(guān)鍵詞:

推薦內(nèi)容