文丨徐濤雷俊成 王子源 程子盈

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美光發(fā)布今年3-5月的FY23Q3業(yè)績，管理層表示存儲行業(yè)的收入低谷已過，隨著行業(yè)供需平衡逐漸恢復，預計利潤率將有所改善。此外，公司看好生成式AI帶動AI服務器存儲需求超預期。

▍FYQ3營收環(huán)比微增，營收低谷或已過去。

美光FYQ3實現(xiàn)營收37.5億美元（公司此前預期中值為37億美元）YoY-57%、QoQ+2%；毛利率-16%，優(yōu)于此前公司指引上沿；凈虧損19.0億美元，Q2為23.1億元，環(huán)比收窄；Non-GAAP EPS -1.43美元，高于市場預期。公司本期減記庫存約4億美元，Q2則減計高達14.3億美元，我們認為庫存費用的環(huán)比大幅減少是行業(yè)景氣即將觸底的重要信號。營收結構方面，DRAM營收占比71%（QoQ-2%），NAND營收占比21%（QoQ +14%），ASP相較Q2均有所收窄。

▍FYQ4營收指引優(yōu)于預期，F(xiàn)Y2023資本開支及投片量指引進一步下調。

公司指引Q4營收39億美元，上下浮動2億美元，中值高于市場預期的38.7億美元；預計Q4毛利率為-10.5%，上下浮動2.5pcts；Non-GAAP EPS -1.19美元，上下浮動0.07美元。公司預期23H2 DRAM和NAND比特出貨量仍將實現(xiàn)強勁增長。FY2023資本開支同比-40%，DRAM和NAND減產30%。公司預計FY2023資本開支為70億美元，相比上年削減超40%，WFE（Fab設備）下降超50%；此外，公司將對DRAM和NAND進一步減產30%并持續(xù)到2024年。

▍23H2供需格局有望改善，NAND或先于DRAM復蘇。

公司看好23H2至24年下游需求回暖趨勢，預計23年DRAM/NAND需求（按Bit）分別增長中低個位數(shù)（low-to-mid single digit）和高個位數(shù)（high-single digit）；其中數(shù)據(jù)中心FYQ3云端和企業(yè)端收入連續(xù)強勁增長，生成式AI帶動AI服務器存儲需求超預期；PC端公司預期CY23出貨同比下滑低兩位數(shù)（low-double digit）；智能手機公司預期CY23出貨同比下降中個位數(shù)（mid-single digit）；汽車端FYQ3季度收入創(chuàng)記錄，同比增長高個位數(shù)（high-single digit），下半年需求可期；工業(yè)端FYQ3市場出現(xiàn)復蘇初步跡象，行業(yè)庫存及需求有望在CY23H2改善。供給端部分廠商調降稼動率或Capex，我們預計存儲廠商庫存將在23Q2達峰并逐步下調，23H2有望趨于健康水平。

▍風險因素：

后續(xù)海外國家對華半導體技術限制超預期風險；先進技術創(chuàng)新不及預期；國際產業(yè)環(huán)境變化和貿易摩擦加劇風險；下游需求不及預期；廠商產能控制不及預期，行業(yè)競爭加劇風險。

▍投資策略：

海外大廠稼動控制之下存儲供需改善，我們預計主流存儲價格23H2有望回暖，看好產業(yè)鏈公司23H2業(yè)績底部復蘇；美光近期將國內審查對其全球營收影響比例的預測由個位數(shù)（single digit）調升到低兩位數(shù)（low-double digit），我們認為或有望加速存儲芯片國產化趨勢，同時龍頭外延布局競爭壁壘進一步提升，成長潛力大，建議關注：1）存儲模組；2）存儲芯片設計；3）存儲配套芯片。

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